Юань Телец ⇐ Васина Википедия

[wiki_en]

Юань Таур (китайский: 陶 元) — американец китайского происхождения, американский инженер-электрик, инженер-электрик и ученый. Он является заслуженным профессором электротехники и вычислительной техники (ECE) Калифорнийского университета в Сан-Диего.
Таур известен своими исследованиями в области моделирования полупроводниковых устройств | проектирования полупроводниковых устройств, уделяя особое внимание структуре и физике транзисторов. Он имеет 14 патентов США и является автором или соавтором более 200 технических статей, а также является соавтором книги «Основы современных устройств СБИС» вместе с Так Нином, охватывающей три издания, выпущенные в 1998, 2009 и 2022 годах.
В 1998 году Таур был избран членом Института инженеров по электротехнике и электронике | IEEE. С 1999 по 2011 год он занимал должность главного редактора журнала IEEE Electron Device Letters.
==Молодость и образование==
Таур получил степень бакалавра наук. получил степень по физике в Национальном тайваньском университете в Тайбэе, Тайвань, в 1967 году, а в 1968 году приехал в США, чтобы получить докторскую степень. Степень бакалавра физики в Калифорнийском университете в Беркли, который он закончил в 1974 году.
==Карьера==
С 1979 по 1981 год Таур работал в Международном научном центре Роквелла в Таузенд-Оукс, Калифорния, где занимался полупроводниковыми устройствами II-VI для применения пассивных инфракрасных датчиков | инфракрасных датчиков. После этого, с 1981 по 2001 год, он работал в отделе кремниевых технологий Исследовательского центра IBM Томаса Дж. Уотсона в Йорктаун-Хайтс, штат Нью-Йорк, занимая должность менеджера по исследовательским устройствам и процессам. Поступив в Инженерную школу Джейкобса в 2001 году, он с тех пор занимал должности профессора на кафедре электротехники и вычислительной техники Калифорнийского университета в Сан-Диего, а позже был назначен заслуженным профессором в 2014 году.

==Исследования==
Во время работы в исследовательском центре IBM TJ Watson с 1981 по 2001 год исследования Таура были сосредоточены на масштабировании КМОП-транзисторов с 1 микрона до 100 нм.
Во время своего пребывания в Калифорнийском университете с 2001 по 2024 год исследования Таура были в основном посвящены проектированию и моделированию транзисторов размером от 100 до 10 нм. Он внес свой вклад в эту область, опубликовав аналитическую потенциальную модель для симметричного двойника. МОП-транзисторы с затвором, которые остаются непрерывными во всех областях смещения.
==Работает==
Учебник Таура «Основы современных устройств СБИС», используемый на первых курсах аспирантуры по микроэлектронике во всем мире, был переведен на японский язык для всех трех изданий и на китайский язык для 2-го и 3-го изданий. Эта работа была посвящена КМОП и биполярным СБИС устройствам, включая физику полупроводников, оптимизацию конструкции, энергопотребление, масштабирование и физические ограничения. Во втором издании были подробно рассмотрены взаимосвязи параметров устройств, объединены теория масштабной длины МОП-транзисторов, биполярные устройства на основе SiGe и кремний на изоляторах, а также включена глава об устройствах памяти СБИС, как энергозависимых, так и энергонезависимых. Его третье издание, опубликованное в 2022 году, расширило свойства и конструкции современных устройств СБИС, включив около 25% нового материала о таких достижениях, как диэлектрики с затвором high-k, полевые МОП-транзисторы с двойным затвором, латеральные биполярные транзисторы и модели полевых МОП-транзисторов без GCA. >
==Награды и почести==
*2012 – Премия Дж. Дж. Эберса, Общество электронных устройств IEEE
*2014 – Премия за выдающиеся заслуги, Общество электронных устройств IEEE
*2023 – Премия выдающемуся выпускнику, Национальный университет Тайваня

==Библиография==
===Книги===
*''Основы современных СБИС'', 1-е изд. (1998) ISBN 9780521559591
*''Основы современных СБИС'', 2-е изд. (2009) ISBN 9780521832946
*''Основы современных СБИС'', 3-е изд. (2022) ISBN 9781108480024

===Избранные статьи===
*Таур, Ю., Винд, С., Мии, Ю.Дж., Лии, Ю., Мой, Д., Дженкинс, К.А., ... и Полкари, М. (1993, декабрь). Высокопроизводительные КМОП-устройства 0,1/спл мкм/м с источником питания 1,5 В. В материалах Международного собрания по электронным устройствам IEEE (стр. 127–130). IEEE.
*Таур, Юань, Дуглас А. Бьюкенен, Вэй Чен, Дэвид Дж. Франк, Халид Э. Исмаил, Ши-Сянь Ло, Джордж А. Сай-Халас и др. «Масштабирование КМОП до нанометрового уровня». Труды IEEE 85, вып. 4 (1997): 486-504.
*Фрэнк Д.Дж., Таур Ю. и Вонг Х.С. (1998). Обобщенная шкала двумерных эффектов в МОП-транзисторах. Письма IEEE Electron Device, 19(10), 385-387.
*Фрэнк Д.Дж., Деннард Р.Х., Новак Э., Соломон П.М., Таур Ю. и Вонг Х.С.П. (2001). Ограничения масштабирования устройств Si MOSFET и зависимости от их применения. Труды IEEE, 89(3), 259-288.
*Таур Ю., Лян К., Ван В. и Лу Х. (2004). Непрерывная аналитическая модель тока стока для МОП-транзисторов DG. Письма IEEE об электронных устройствах, 25(2), 107-109.
*Таур Ю., Чой В., Чжан Дж. и Су М. (2019). Модель DG MOSFET без GCA, непрерывная в области насыщения скоростей. Транзакции IEEE на электронных устройствах, 66(3), 1160-1166.

Китайские инженеры-электрики
Американские ученые китайского происхождения
Выпускники Национального Тайваньского университета
Выпускники Калифорнийского университета в Беркли
Факультет Калифорнийского университета в Сан-Диего
Живые люди

Подробнее: https://en.wikipedia.org/wiki/Yuan_Taur